




薄膜均勻性概念
1.厚度上的均勻性,也可以理解為粗糙度,在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位,約為100A),真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當好,可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi),也就是說對于薄膜的光學(xué)特性來說,真空鍍膜沒有任何障礙。第五,掌握檢漏儀器的反應(yīng)時刻和消除時刻,把時刻掌握好,確保檢漏儀器作業(yè)到位,時刻少了,檢漏作用必定差,時刻長了,糟蹋檢漏氣體和人工電費。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度,也就是說要實現(xiàn)10A甚至1A的表面平整,具體控制因素下面會根據(jù)不同鍍膜給出詳細解釋。
2.化學(xué)組分上的均勻性: 就是說在薄膜中,化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性,SiTiO3薄膜,如果鍍膜過程不科學(xué),那么實際表面的組分并不是SiTiO3,而可能是其他的比例,鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分,這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。在信息存儲領(lǐng)域中薄膜材料作為信息記錄于存儲介質(zhì),有其得天獨厚的優(yōu)勢:由于薄膜很薄,可以忽略渦流損耗。 具體因素也在下面給出。
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對于真空鍍膜機必須要掌握的名詞
低溫冷凝泵:它是利用低溫表面來凝聚氣體分子以實現(xiàn)抽氣的一種泵,是目前獲得極限真空1高,抽速1大的抽氣泵。
冷凝泵的工作原理:主要是低溫表面對氣體的冷凝作用、冷捕作用及物理低溫吸附作用。
低溫冷凝:根據(jù)各種氣體的特性,采用液氦或者制冷循環(huán)氦氣來冷卻。
冷捕集:就是不可凝氣體被可凝氣體捕集的現(xiàn)象,通常二氧化碳、水蒸氣、氮氣、壓氣等氣體首先形成霜,于低溫表面形成吸附層,進而達到吸附其它氣體的目的,低溫泵抽除混合氣體的效果比抽除單一效果好就是這個原因。
低溫吸附:指低溫表面上的吸附劑吸附氣體的作用,由于吸附劑與氣體分子之間的相互作用很強,故可達到氣相壓強比冷凝表面溫度下它的飽和蒸汽壓還低的水平。吸附劑通常是活性炭。
冷凝泵的抽氣速率及影響冷凝泵的抽氣速率與冷凝表面的面積大小有關(guān)系,經(jīng)數(shù)據(jù)顯示,單位冷凝表面積下的抽氣速率為11.6升/秒.平方厘米,冷凝泵可以抽到10-8帕;此外粘有活性炭的吸附表面的幾何形狀及位置、活性炭的顆粒結(jié)構(gòu)、粘結(jié)材料及粘接工藝,對抽速也有很大的影響。由于真空泵有選擇性抽氣,因而,有時選用一種泵不能滿足抽氣要求,需要幾種泵組合起來,互相補充才能滿足抽氣要求。其次關(guān)鍵在于制冷機的制冷量要足夠大。
真空計:真空計是真空鍍膜機器上的重要組成部分,它是檢測鍍膜機真空度的重要手段。
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真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域
在平板顯示器中
所有各類平板顯示器都要用到各種類型的薄膜,而且,幾乎所有類型的平板顯示器件都需要使用ITO膜,以滿足透明電器的要求??梢院敛豢鋸埖恼f,沒有薄膜技術(shù),就沒有平板顯示器件。
在太陽能利用方面
當需要有效地利用太陽熱能時,就要考慮采用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。此排氣系統(tǒng)采用“擴散泵+機械泵+羅茨泵+低溫冷阱+polycold”組成。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。由于太陽輻射與熱輻射光譜在波段上有差異,因此,為了有效地利用太陽熱能,就必須考慮采用具有波長選擇特性的吸收面。
理想的選擇吸收面,是太陽輻射光譜的波段(可見光波段)吸收率(α)為1,在熱輻射波段(紅外波段)輻射率(ε)為0。
在防偽技術(shù)中
防偽膜種類很多,從使用方法可分為反射式和透射式;從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。
在飛機防護涂層方面
飛機的鈦合金緊固件,原來采用電鍍方法鍍鎘。但在鍍鎘中含有氫,所以在飛行過程中,受到大氣、海水的腐蝕,鍍層上容易產(chǎn)生“鎘脆”,甚至引起“空難”。
1964年,采用離子鍍方法在鈦合金緊固件上鍍鋁,解決了飛機零件的“鎘脆”問題。在離子鍍技術(shù)中,由于給工件施加負偏壓,可以形成“偽擴散層”、細化膜層組織,因此,可以顯著提高膜層的耐腐蝕性能。
在光學(xué)儀器中
人們熟悉的光學(xué)儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術(shù),鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
在信息存儲領(lǐng)域中
薄膜材料作為信息記錄于存儲介質(zhì),有其得天獨厚的優(yōu)勢:
由于薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉(zhuǎn)極為迅速;與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。
為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術(shù)。
在傳感器方面
在傳感器中,多采用那些電氣性質(zhì)相對于物理量、化學(xué)量及其變化來說,極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外,其中,大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì),需要盡量增大其面積,且能工業(yè)化、低價格制作,因此,采用薄膜的情況很多。
在集成電路制造中
晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線等,多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見,氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。
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