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真空鍍膜系統(tǒng)廠家誠(chéng)信企業(yè)「在線咨詢」
2021-06-18






對(duì)于真空鍍膜機(jī)必須要掌握的名詞

低溫冷凝泵:它是利用低溫表面來(lái)凝聚氣體分子以實(shí)現(xiàn)抽氣的一種泵,是目前獲得極限真空1高,抽速1大的抽氣泵。

冷凝泵的工作原理:主要是低溫表面對(duì)氣體的冷凝作用、冷捕作用及物理低溫吸附作用。

低溫冷凝:根據(jù)各種氣體的特性,采用液氦或者制冷循環(huán)氦氣來(lái)冷卻。

冷捕集:就是不可凝氣體被可凝氣體捕集的現(xiàn)象,通常二氧化碳、水蒸氣、氮?dú)狻簹獾葰怏w首先形成霜,于低溫表面形成吸附層,進(jìn)而達(dá)到吸附其它氣體的目的,低溫泵抽除混合氣體的效果比抽除單一效果好就是這個(gè)原因。

低溫吸附:指低溫表面上的吸附劑吸附氣體的作用,由于吸附劑與氣體分子之間的相互作用很強(qiáng),故可達(dá)到氣相壓強(qiáng)比冷凝表面溫度下它的飽和蒸汽壓還低的水平。吸附劑通常是活性炭。

冷凝泵的抽氣速率及影響冷凝泵的抽氣速率與冷凝表面的面積大小有關(guān)系,經(jīng)數(shù)據(jù)顯示,單位冷凝表面積下的抽氣速率為11.6升/秒.平方厘米,冷凝泵可以抽到10-8帕;但在鍍鎘中含有氫,所以在飛行過(guò)程中,受到大氣、海水的腐蝕,鍍層上容易產(chǎn)生“鎘脆”,甚至引起“空難”。此外粘有活性炭的吸附表面的幾何形狀及位置、活性炭的顆粒結(jié)構(gòu)、粘結(jié)材料及粘接工藝,對(duì)抽速也有很大的影響。其次關(guān)鍵在于制冷機(jī)的制冷量要足夠大。

真空計(jì):真空計(jì)是真空鍍膜機(jī)器上的重要組成部分,它是檢測(cè)鍍膜機(jī)真空度的重要手段。

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真空鍍膜機(jī)的真空室設(shè)計(jì)方法

真空鍍膜技術(shù)是在真空條件下采用物理或者化學(xué)方法,使物體表面獲取所需膜體,真空鍍膜技術(shù)根據(jù)其采用方法的不同科分成蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積以及分子束外延等,這次分析的鍍膜設(shè)備采用的是磁控濺射鍍膜。

真空室是真空設(shè)備的一個(gè)主要組成部位,真空鍍膜設(shè)備真空室設(shè)計(jì)主要考慮的就是密封性和可靠性,結(jié)構(gòu)必須要合理,真空設(shè)備的材料生產(chǎn)都是在真空室內(nèi)進(jìn)行的,材料對(duì)真空度的影響要小,設(shè)計(jì)不能馬虎,要注意一些問(wèn)題。

使用磁控濺射的真空鍍膜機(jī)一般采用的是圓筒主體結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)上要保證快速抽空,因氣袋會(huì)緩慢的放氣,因此要避免出現(xiàn)隔離孔穴,真空系統(tǒng)上端會(huì)加裝磁控濺射槍,為了使真空室和元件有足夠的強(qiáng)度,保證在外部和內(nèi)部的作用力下不產(chǎn)生形狀的變化,厚度需要足夠。

焊接是真空室制造中的一道關(guān)鍵工序,保證焊接之后的真空室不會(huì)產(chǎn)生漏氣現(xiàn)象,須合理設(shè)計(jì)焊接結(jié)構(gòu),提高焊接質(zhì)量,處在超高真空的內(nèi)壁粗糙度要拋光使室外室內(nèi)表面很光潔,須特別注意的是需做好防止生銹的措施。

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真空鍍膜機(jī)部件分析

真空主體——真空腔根據(jù)加工產(chǎn)品要求的各異,真空腔的大小也不一樣,目前應(yīng)用1多的有直徑1、3M、0、9M、1、5M、1、8M等,腔體由不銹鋼' target=_blank>不銹鋼材料制作,要求不生銹、堅(jiān)實(shí)等,真空腔各部分有連接閥,用來(lái)連接各抽氣泵浦。機(jī)械泵:也叫前級(jí)泵,機(jī)械泵是應(yīng)用廣泛的一種低真空泵,它是用油來(lái)保持密封效果并依靠機(jī)械的方法不斷的改變泵內(nèi)吸氣空腔的體積,使被抽容器內(nèi)氣體的體積不斷膨脹從而獲得真空。

輔助抽氣系統(tǒng):排氣系統(tǒng)為鍍膜機(jī)真空系統(tǒng)的重要部分,主要有由機(jī)械泵、增壓泵(主要介紹羅茨泵)、油擴(kuò)散泵三大部分組成。此排氣系統(tǒng)采用“擴(kuò)散泵+機(jī)械泵+羅茨泵+低溫冷阱+polycold”組成。排氣流程為:機(jī)械泵先將真空腔抽至小于2、0*10-2PA左右的低真空狀態(tài),為擴(kuò)散泵后繼抽真空提供前提,之后當(dāng)擴(kuò)散泵抽真空腔的時(shí)候,機(jī)械泵又配合油擴(kuò)散泵組成串聯(lián),以這樣的方式完成抽氣動(dòng)作。厚度均勻性主要取決于:1、基片材料與靶材的晶格匹配程度2、基片表面溫度3、蒸發(fā)功率,速率4。


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