蒸發(fā)鍍膜

一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4. 真空度

5. 鍍膜時(shí)間，厚度大小

組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

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真空鍍膜機(jī)鍍制薄膜不均勻的解決方法

制的薄膜的均勻性都會(huì)受到某種因素影響。真空狀態(tài)需要抽氣系統(tǒng)來(lái)控制的，每個(gè)抽氣口都要同時(shí)開動(dòng)并力度一致，這樣就可以控制好抽氣的均勻性，如果抽氣不均勻，在真空室內(nèi)的壓強(qiáng)就不能均勻了，壓強(qiáng)對(duì)離子的運(yùn)動(dòng)是存在一定的影響的。以上內(nèi)容由艾明坷為您提供，今天我們來(lái)分享的是薄膜均勻性概念的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)您有所幫助。另外抽氣的時(shí)間也要控制，太短會(huì)造成真空度不夠，但太長(zhǎng)又浪費(fèi)資源，不過(guò)有真空計(jì)的存在，要控制好還是不成問(wèn)題的。

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常見的真空鍍膜材料

氧化物一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3，氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

其它化合物硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，硫1化鎘CdS等真空鍍膜材料。

金屬鍍膜材料高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純金Au，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料。而低輻射膜則能滿足高緯度地區(qū)充分接受太陽(yáng)輻射能量和1大限度阻止室內(nèi)熱量外流的要求?！?